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奈米檢測技術

出版日期
2009
閱讀格式
PDF
書籍分類
學科分類
ISBN
9789868140943

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  • 序言
  • 諮詢委員
  • 編審委員
  • 作者
  • 第一章 奈米科技概論
    • 1.1前言
    • 1.2奈米材料之特性
    • 1.3奈米材料之結構
      • 1.3.1奈米管
      • 1.3.2奈米線
      • 1.3.3量子點與量子井
      • 1.3.4奈米孔洞材料
      • 1.3.5奈米複合物
    • 1.4製備技術
    • 1.5應用領域
      • 1.5.1奈米元件
      • 1.5.2磁性元件
      • 1.5.3光電元件
      • 1.5.4生醫應用
      • 1.5.5奈米材料其他應用
    • 1.6結論
    • 參考文獻
  • 第二章 奈米檢測簡介
    • 2.1概述
    • 2.2奈米尺寸與計量單位
    • 2.3檢測項目
      • 2.3.1尺寸、外觀、粒徑、膜厚及力學特性
      • 2.3.2機械特性
      • 2.3.3光學特性
      • 2.3.4表面結構
      • 2.3.5電性
      • 2.3.6磁性
      • 2.3.7能量
      • 2.3.8量子效應
      • 2.3.9生物醫學
    • 2.4檢測與奈米科技發展關係
    • 參考文獻
  • 第三章 光子束檢測技術
    • 3.1概述
      • 3.1.1光的本質─波動與粒子的雙重性
      • 3.1.2基於光學波動性質之光學顯微鏡
      • 3.1.3影像技術鳥瞰
      • 3.l.4突破繞射極限的光學顯微技術
      • 3.1.5從空間解析到時間解析
      • 3.1.6結語
    • 3.2差動共焦顯微術
      • 3.2.1基本原理
      • 3.2.2技術規格與特徵
      • 3.2.3應用與實例
      • 3.2.4結語
    • 3.3表面電漿子共振顯微術
      • 3.3.1引言
      • 3.3.2電漿子效應
      • 3.3.3表面電漿子強化之螢光顯微術
      • 3.3.4表面電漿子相位顯微術
      • 3.3.5表面電漿子增強雙光子螢光顯微術
      • 3.3.6結論
    • 3.4非線性光學─多光子顯微術
      • 3.4.1歷史沿革
      • 3.4.2基本原理
      • 3.4.3多光子顯微鏡的解析度
      • 3.4.4應用與實例
      • 3.4.5結論
    • 3.5螢光光譜分析
      • 3.5.1基本原理
      • 3.5.2技術規格與特徵
      • 3.5.3螢光激發系統分類
      • 3.5.4應用與實例
      • 3.5.5結語
    • 3.6拉曼光譜顯微術
      • 3.6.1歷史
      • 3.6.2基本原理
      • 3.6.3共焦拉曼光譜顯微術
      • 3.6.4掃描近場拉曼光譜顯微術
      • 3.6.5探針增強拉曼光譜顯微術
      • 3.6.6結論
    • 3.7相調反史托克拉曼散射顯微術
      • 3.7.1前言
      • 3.7.2基本原理
      • 3.7.3技術規格
      • 3.7.4應用與實例
      • 3.7.5結語
    • 參考文獻
  • 第四章 X光檢測技術
    • 4.1概述
    • 4.2X光繞射分析術
      • 4.2.1基本原理
      • 4.2.2影響X光繞射峰的因素
      • 4.2.3卷積理論
      • 4.2.4技術規格與特徵
      • 4.2.5應用與實例
      • 4.2.6結語
    • 4.3X光吸收光譜分析術
      • 4.3.1基本原理
      • 4.3.2技術規格與特徵
      • 4.3.3應用與實例
      • 4.3.4結語
    • 4.4X光光電子光譜法
      • 4.4.1簡介
      • 4.4.2束縛能
      • 4.4.3光電子的動能
      • 4.4.4儀器特徵
      • 4.4.5光譜特徵
      • 4.4.6定量分析
      • 4.4.7縱深資訊
      • 4.4.8結語
    • 4.5小角度X光散射分析術
      • 4.5.1基本原理
      • 4.5.2技術規格與特徵
      • 4.5.3應用與實例
      • 4.5.4結語
    • 4.6X光螢光分析術及X光全反射螢光光譜分析術
      • 4.6.1基本原理
      • 4.6.2技術規格與特徵
      • 4.6.3應用與實例
      • 4.6.4結語
    • 4.7X光反射率測量法
      • 4.7.1前言
      • 4.7.2基本原理
      • 4.7.3實驗方法
      • 4.7.4程式模擬
      • 4.7.5應用實例
      • 4.7.6結語
    • 4.8X光微聚焦光束技術
      • 4.8.1前言
      • 4.8.2X光光源
      • 4.8.3X光聚焦光學元件
      • 4.8.4微聚焦同步輻射光束線
      • 4.8.5X光微聚焦光束之應用
      • 4.8.6結語
    • 參考文獻
  • 第五章 離子束檢測技術
    • 5.1概述
    • 5.2二次離子質譜分析術
      • 5.2.1基本原理
      • 5.2.2技術規格與特徵
      • 5.2.3應用與實例
      • 5.2.4結語
    • 5.3拉塞福背向散射分析術
      • 5.3.1物理背景
      • 5.3.2實驗裝置
      • 5.3.3工作原理
      • 5.3.4參考實例
      • 5.3.5能量鑑別
      • 5.3.6氫的偵測
      • 5.3.7溝渠效應
      • 5.3.8結語
    • 5.4中能量離子散射分析術
      • 5.4.1簡介
      • 5.4.2基本原理
      • 5.4.3儀器設備
      • 5.4.4應用實例
      • 5.4.5結語
    • 5.5粒子誘發X光分析術
      • 5.5.1基本原理
      • 5.5.2儀器設備與量測
      • 5.5.3應用與實例
      • 5.5.4結語
    • 參考文獻
  • 第六章 電子束檢測技術
    • 6.1概述
    • 6.2掃描式電子顯微術
      • 6.2.1基本原理
      • 6.2.2技術規格與特徵
      • 6.2.3應用與實例
      • 6.2.4結語
    • 6.3穿透式電子顯微術
      • 6.3.1簡介
      • 6.3.2儀器特徵
      • 6.3.3影像的對比
      • 6.3.4掃描穿透式電子顯微鏡
      • 6.3.5結語
    • 6.4能量散佈分析術
      • 6.4.1前言
      • 6.4.2X光產生原理
      • 6.4.3EDS儀器架構
      • 6.4.4無感時間
      • 6.4.5偽像
      • 6.4.6效率
      • 6.4.7EDS量測模式
      • 6.4.8定性分析
      • 6.4.9定量分析
      • 6.4.10能量散佈光譜儀之特徵
      • 6.4.11EDS操作參數選擇
      • 6.4.12EDS實際應用
      • 6.4.13結語
    • 6.5電子能量損失光譜分析術
      • 6.5.1電子束與原子之間的作用
      • 6.5.2EELS構造與偵測原理
      • 6.5.3EELS能譜分析
      • 6.5.4定量分析
      • 6.5.5細微結構
      • 6.5.6能量過濾穿透式電子顯微鏡
      • 6.5.7空間解析度
      • 6.5.8結語
    • 6.6低能電子繞射分析術
      • 6.6.1基本原理
      • 6.6.2低能量電子繞射的理論
      • 6.6.3低能量電子繞射的實驗技術
      • 6.6.4應用與實例
      • 6.6.5結語
    • 6.7反射式高能電子分析術
      • 6.7.1基本原理
      • 6.7.2表面重組結構
      • 6.7.3RHEED振盪現象
      • 6.7.4磊晶的應用
      • 6.7.5結語
    • 6.8奈米歐傑電子能譜表面分析技術
      • 6.8.1表面分析的基本觀念
      • 6.8.2歐傑電子能譜儀的基本觀念
      • 6.8.3奈米歐傑電子能譜儀在表面分析應用實例
      • 6.9陰極螢光光譜分析術
      • 6.9.1基本原理
      • 6.9.2技術規格與特徵
      • 6.9.3應用與實例
    • 6.9.4結語
    • 參考文獻
  • 第七章 探針檢測技術
    • 7.1概述
    • 7.2掃描穿隧顯微術
      • 7.2.1基本原理
      • 7.2.2儀器結構
      • 7.2.3超高真空低溫STM
      • 7.2.4場發射STM
      • 7.2.5應用實例
      • 7.2.6結語
    • 7.3原子力顯微術
      • 7.3.1前言
      • 7.3.2基本原理
      • 7.3.3系統特徵與技術規格
      • 7.3.4應用與實例
      • 7.3.5結論
    • 7.4近場光學顯微術
      • 7.4.1基本原理與歷史
      • 7.4.2儀器架構
      • 7.4.3應用與實例
      • 7.4.4新近發展
      • 7.4.5結論
    • 7.5磁力顯微術
      • 7.5.1歷史介紹
      • 7.5.2操作原理
      • 7.5.3磁針與磁力來源
      • 7.5.4磁力與磁力顯微鏡影像模式
    • 7.6其他掃描探針顯微術
      • 7.6.1電性掃描探針顯微術
      • 7.6.2掃描電容顯微術
      • 7.6.3掃描電流顯微術
      • 7.6.4電力顯微術
      • 7.6.5壓電力顯微術
      • 7.6.6結語
    • 參考文獻
  • 第八章 其他檢測方法
    • 8.1中子繞射散射儀
      • 8.1.1中子繞射簡介
      • 8.1.2技術規格與特徵
      • 8.1.3基本原理
      • 8.1.4應用與實例
      • 8.1.5結語
    • 8.2奈米壓痕儀
      • 8.2.1基本原理
      • 8.2.2技術規格與特徵
      • 8.2.3應用與實例
      • 8.2.4結語
    • 8.3表面輪廓儀
      • 8.3.1前言
      • 8.3.2表面測量相關的發展
      • 8.3.3探針型表面輪廓量測
      • 8.3.4非接觸式表面形貌量測
      • 8.3.5結論
    • 8.4石英振盪器在奈米表面吸附分析之應用
      • 8.4.1基本原理
      • 8.4.2技術規格與特徵
      • 8.4.3應用與實例
      • 8.4.4結語
    • 8.5微懸臂樑於奈微米檢測之應用
      • 8.5.1微懸臂樑簡介
      • 8.5.2微懸臂樑靜態測試
      • 8.5.3微懸臂樑動態測試
      • 8.5.4注意事項
      • 8.5.5結論
    • 8.6光散射法測定粒徑與zeta電位
      • 8.6.1簡介
      • 8.6.2光散射
      • 8.6.3電泳光散射法
      • 8.6.4結語
    • 8.7BET比表面積分析法
      • 8.7.1簡介
      • 8.7.2氣體吸附行為與等溫吸附脫附曲線
      • 8.7.3BET表面積的量測原理
      • 8.7.4BET理論適用之範圍
      • 8.7.5快速估計材料表面積─單點法
      • 8.7.6實際量測過程與注意事項
      • 8.7.7結論
    • 參考文獻
  • 第九章 前瞻性奈米檢測技術
    • 9.1結構顯微術
      • 9.1.1遠場光學奈米顯微術
      • 9.1.2原子探針斷層掃描
      • 9.1.3高角度環狀暗場掃描穿透式電子顯微鏡斷層掃描
    • 9.2結構特性分析術
      • 9.2.1電子奈米繞射
    • 9.3光學性質分析術
      • 9.3.1近場掃描光學奈微術
      • 9.3.2自旋體旋進的激發探測研究
      • 9.3.3法拉第旋轉之時間解析
      • 9.3.4發冷光的上轉換之時間分析
    • 9.4彈性特性分析術
      • 9.4.1侷限的聲頻聲子:低頻拉曼散射分析
      • 9.4.2奈米團簇的振動態之同步激發─時間解析頻譜儀
    • 9.5電子與電的特性分析術
      • 9.5.1表面探針顯微技術
      • 9.5.2延伸能量損失精細結構
      • 9.5.3X光光電子能譜術微探針
    • 9.6磁性特性分析術
      • 9.6.1硬X光光激發
    • 9.7結語
    • 參考文獻
  • 中文名詞索引
  • 英文名詞索引
  • 出版地 臺灣
  • 語言 繁體中文

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